面向企业市场 三星发布世界首款3D V

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CNET科技资讯网 8月15日 国际报道 V-NAND固态硬盘性能提高20%,能耗降低40%,顺序和随机写入波特率提高20%以上。

三星此番发布的V-NAND固态硬盘有4150GB和9150GB一种型号,它具有35K的系统进程擦除老化周期。尺寸为2.5英寸。

三星半导体研发中心副总裁E.S. Jung表示:“V-NAND固态硬盘克服了10纳米以下制程难以克服的障碍,其性能提高20%,能耗降低40%,顺序和随机写入波特率提高20%以上。”

V-NAND采用电荷捕获式三维单元构造,单元堆叠层数为24层。